清洗腐蚀区
氧化扩散区
光刻键合区
成膜刻蚀区
清洗腐蚀区设备主要包括去胶台、RCA清洗机、KOH/TMAH腐蚀台、晶圆喷镀机等;目前能完成各类去胶工艺硅片、玻璃片普通清洗、氧化前清洗、 键合前清洗_ I艺,KOH/TMAH腐蚀台阶工艺、減蕙工艺晶圆喷镀铜工艺、喷镀镍工艺等。
氧化扩散-离子注入区主要有氧化扩散炉、LPCVD、 PECVD、 离子注入机等设备,可提供不同厚度及类型的SiO2、Si3N4、 及Poly-Si膜的生长,以及P/B的掺杂和注入,同时可进行掺杂后的退火。
光刻键合区能够实现基片的双面光刻,特征尺寸最小1.5μm可制作各类需求的图形,光刻胶工艺有从0.4μm--30μm胶厚,支持平面工艺的各类掩膜,并可定制开发其它工艺;里面厚金属的剥离等工艺有多种LIFT-OFF工艺支持实现。
成膜区域设备主要有磁控溅射机与电子束蒸发台等,目前能完成贵金属与普通金属溅射工艺、贵金属与普通金属蒸发工艺。